檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "電子工程系".cdept (精準) and ckeyword.raw="光電晶體"
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓，經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN，使…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
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本論文研究應用於光通訊系統之積體電路元件，包含矽鍺發光晶片、矽鍺檢光晶片、可調式轉阻放大器與自動增益控制放大器，分別採用台積電(TSMC)之0.35μm SiGe 3P3M製程及0.18μm CMO…
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本論文研究應用於光通訊系統的相關積體電路，包含發光元件、光接收元件、轉阻放大器、壓控振盪器與資料時脈回復電路。 第一部份探討光電晶體發光與檢光的設計，使用的是台積電0.35μm SiGe 3P…
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金屬氧化物薄膜電晶體具有高載子遷移率、大面積下有良好的均勻性、低溫製程及高光穿透度等優點，因此被廣泛的應用在顯示器領域，除此之外，金屬氧化物薄膜電晶體也可以作為光感測的用途，其具有比光二極體更高的光…
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以金屬氧化物為通道的薄膜電晶體因其高載子遷移率、均勻性、可在較低溫下成長等特性，除了應用於軟性電子或是顯示器領域皆具有相當高的潛力外，也可以當作光電晶體，不同於光二極體，其具有高響應度與靈敏度，因此…
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本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組，在功能上做應用端的延伸以及元件改良，使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能，來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器，量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
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現今消費市場對光電積體電路(OEICs)的需求日益增加，以及尺寸微縮和成本縮減考量下，高響應度(放大訊號能力)及高速性能的光檢測器製造技術是必需的。 並且現今多晶矽在物性以及製作技術上都有顯著的進步…